Teknologi flash memory 3D Vertical Samsung Memungkinkan SSD Berkapasitas Terabyte

Samsung sepertinya berusaha menjadi pelopor dalam pengembangan Solid-state disk (SSD) berkapasitas sangat besar, dalam kisaran terabyte. Hal ini terlihat dengan diluncurkannya produk baru mereka yaitu Flash Disk berkapasitas 32 Gb yang di dalamnya menggunakan teknologi NAND 3D-Vertical (three-dimensional (3D) Vertical NAND (V-NAND)).

Teknologi ini mengatasi permasalahan pada pembuatan chip memory tradisional yang menempatkan simpul-simpul memori elektronik dalam bidang datar, 2-dimensi. Dalam bidang datar ini, simpul-simpul memori ini hanya bisa ditambah kapasitasnya dengan mengecilkan unit memori yang pada akhirnya akan berakibat pada interferensi antar simpul memori. Hal semacam ini bisa memicu ketidakstabilan daya simpan.

Teknologi 3D-Vertical NAND menempatkan setiap simpul pada jalinan vertikal yang membebaskan interferensi antar simpul. Selain itu, proses pembuatan flash memory dengan teknologi arsitektur chip vertikal ini juga tidak dibatasi oleh resolusi fotolitografi pada pembuatan chip konvensional.

Sepertinya tidak lama lagi produk-produk ponsel pintar maupun komputer dari Samsung akan memiliki kartu memori dengan teknologi ini. Kapasitas penyimpanannya akan semakin besar dan hemat energi.

Sumber: Samsung Tomorrow